Transcend
Memoria de acceso aleatorio
Transcend TS512MDL530
Opiniones de clientes
|
Transcend TS512MDL530
Valoración: 0
Cantidad de votos: 0
|
|
|
Build quality
Valor por su dinero
Facilidad de uso
|
|
Ficha tecnica y Especificaciones técnicas
Características generales Tipo de memoria: RDRAM; Factor de forma: RIMM 184-pin; Volumen: 2 x 256 MB; ECC soporte: sí; Un-Buffered Memoria (Registrarse): no; Soporte de bajo Perfil (Perfil Bajo): no; Además Radiador: sí;
|
|
Fotografía de producto
Transcend TS512MDL530 fotos
Más imágenes
|
|
|
Popular hoy
| | Especificaciones breves - 1 módulo de memoria DDR
- el volumen del módulo 1 GB
- factor de forma DIMM 184-pin
- frecuencia de 400 MHz
- Latencia CAS (CL): 3
|
| | Especificaciones breves - 1 módulo de memoria DDR
- el módulo de la capacidad de 256 MB
- factor de forma DIMM 184-pin
- frecuencia de 400 MHz
- Latencia CAS (CL): 3
|
| | Especificaciones breves - 1 módulo de memoria DDR3
- el volumen de módulo de 4 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- la frecuencia de 1066 MHz
- Latencia CAS (CL): 7
|
Similar Memoria de acceso aleatorio
|
|
Especificaciones breves
- 1 módulo de memoria DDR2
- el volumen de módulo de 4 GB
- factor de forma FB-DIMM 240-pin
- frecuencia de 667 MHz
- ECC soporte
- radiador de refrigeración adicional
- Latencia CAS (CL): 5
|
|
|
Especificaciones breves
- 1 módulo de memoria DDR3
- el volumen de módulo de 8 GB
- factor de forma SODIMM, 204-pin
- frecuencia de 1600 MHz
- Latencia CAS (CL): 11
|
|
|
Especificaciones breves
- 1 módulo de memoria DDR3
- el volumen de módulo de 8 GB
- factor de forma SODIMM, 204-pin
- la frecuencia de 1333 MHz
- Latencia CAS (CL): 9
|
|