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Memoria de acceso aleatorio

Team Group TED21GM800C6-S01

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Facilidad de uso

Ficha tecnica y Especificaciones técnicas

Características generales
Tipo de memoria: DDR2;
Factor de forma: SODIMM de 200-pin;
Frecuencia de reloj: 800 MHz;
Ancho de banda: 6400 MB/s;
Volumen: 1 módulo de 1 GB;
ECC soporte: no;
Un-Buffered Memoria (Registrarse): no;
Soporte de bajo Perfil (Perfil Bajo): no;
Tiempos
Latencia CAS (CL): 6;
RAS to CAS Delay (tRCD): 6;
Fila Retardo de Precarga (tRP): 6;
Activar para Retardo de Precarga (tRAS): 18;
Además
Voltaje de alimentación: 1.8;
 
 
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR
  • el volumen del módulo 1 GB
  • factor de forma DIMM 184-pin
  • frecuencia de 400 MHz
  • Latencia CAS (CL): 3
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR
  • el módulo de la capacidad de 256 MB
  • factor de forma DIMM 184-pin
  • frecuencia de 400 MHz
  • Latencia CAS (CL): 3
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR3
  • el volumen de módulo de 4 GB
  • factor de forma DIMM 240-pin
  • la frecuencia de 1066 MHz
  • Latencia CAS (CL): 7
 
 

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Especificaciones breves
  • 2 de la memoria DDR3
  • el volumen de módulo de 4 GB
  • factor de forma DIMM 240-pin
  • frecuencia de 1600 MHz
  • radiador de refrigeración adicional
  • Latencia CAS (CL): 11
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR3
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Especificaciones breves
  • 4 DDR3
  • el volumen de módulo de 8 GB
  • factor de forma DIMM 240-pin
  • frecuencia de 2666 MHz
  • radiador de refrigeración adicional
  • Latencia CAS (CL): 11
 
 
 
 
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