Super Talent
Memoria de acceso aleatorio
Super Talent WB200UB4G9
|
Opiniones de clientes
|
|
Super Talent WB200UB4G9
Valoración: 0
Cantidad de votos: 0
|
|
|
Build quality
Valor por su dinero
Facilidad de uso
|
|
Ficha tecnica y Especificaciones técnicas
Características generales
Tipo de memoria: DDR3;
Factor de forma: DIMM 240-pin;
Frecuencia de reloj: 2000 MHz;
Ancho de banda: 16000 MB/s;
Volumen: 1 módulo de 4 GB;
ECC soporte: no;
Un-Buffered Memoria (Registrarse): no;
Soporte de bajo Perfil (Perfil Bajo): no;
Tiempos
Latencia CAS (CL): 9;
RAS to CAS Delay (tRCD): 10;
Fila Retardo de Precarga (tRP): 9;
Activar para Retardo de Precarga (tRAS): 28;
Además
Voltaje de alimentación: 1.65 V;
Radiador: sí;
|
|
Fotografía de producto
Super Talent WB200UB4G9 fotos
Más imágenes
|
|
|
Popular hoy
 | | Especificaciones breves - 1 módulo de memoria DDR
- el volumen del módulo 1 GB
- factor de forma DIMM 184-pin
- frecuencia de 400 MHz
- Latencia CAS (CL): 3
|
 | | Especificaciones breves - 1 módulo de memoria DDR
- el módulo de la capacidad de 256 MB
- factor de forma DIMM 184-pin
- frecuencia de 400 MHz
- Latencia CAS (CL): 3
|
 | | Especificaciones breves - 1 módulo de memoria DDR3
- el volumen de módulo de 4 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- la frecuencia de 1066 MHz
- Latencia CAS (CL): 7
|
Similar Memoria de acceso aleatorio
|
|
Especificaciones breves
- 3 DDR3
- el volumen de módulo de 2 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- 2000 MHz de frecuencia
- radiador de refrigeración adicional
- Latencia CAS (CL): 8
|
|
|
Especificaciones breves
- 1 módulo de memoria DDR3
- el volumen de módulo de 2 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- 2000 MHz de frecuencia
- radiador de refrigeración adicional
- Latencia CAS (CL): 9
|
|
|
Especificaciones breves
- 1 módulo de memoria SDRAM
- el volumen del módulo 512 MB
- factor de forma DIMM 168-pin
- la frecuencia de 133 MHz
|
|
