Sun Microsystems Memoria de acceso aleatorio
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- 2 módulo de memoria DDR2
- el volumen de módulo de 2 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- frecuencia de 533 MHz
- ECC soporte
- Latencia CAS (CL): 4
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- 2 módulo de memoria DDR2
- el volumen de módulo de 2 GB
- factor de forma FB-DIMM 240-pin
- frecuencia de 667 MHz
- ECC soporte
- Latencia CAS (CL): 5
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- 2 módulo de memoria DDR2
- el volumen del módulo 1 GB
- factor de forma FB-DIMM 240-pin
- frecuencia de 667 MHz
- ECC soporte
- Latencia CAS (CL): 5
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- 2 módulo de memoria DDR2
- el volumen del módulo 1 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- frecuencia de 667 MHz
- ECC soporte
- Latencia CAS (CL): 5
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- 2 módulo de memoria DDR2
- el volumen del módulo 1 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- frecuencia de 667 MHz
- ECC soporte
- Latencia CAS (CL): 5
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- 2 módulo de memoria DDR2
- el volumen de módulo de 2 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- frecuencia de 667 MHz
- ECC soporte
- Latencia CAS (CL): 5
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- 2 módulo de memoria DDR2
- el volumen del módulo 512 MB
- factor de forma DIMM 240-pin
- frecuencia de 667 MHz
- ECC soporte
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- 2 módulo de memoria DDR2
- el volumen del módulo 1 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- frecuencia de 667 MHz
- ECC soporte
- Latencia CAS (CL): 5
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- 1 módulo de memoria DDR3
- el volumen de módulo de 2 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- la frecuencia de 1066 MHz
- ECC soporte
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- 1 módulo de memoria DDR3
- el volumen de módulo de 2 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- la frecuencia de 1333 MHz
- ECC soporte
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- 1 módulo de memoria DDR3
- el volumen de módulo de 4 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- la frecuencia de 1333 MHz
- ECC soporte
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- 2 módulo de memoria DDR2
- el volumen de módulo de 4 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- frecuencia de 667 MHz
- ECC soporte
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