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Memoria de acceso aleatorio

Samsung Low Profile Registered DDR 266 ECC DIMM 512Mb

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Samsung Low Profile Registered DDR 266 ECC DIMM 512Mb Valoración: 0
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Facilidad de uso

Caracteristicas y Ficha tecnica

Características generales
Tipo de memoria: DDR;
Factor de forma: DIMM 184-pin;
Frecuencia de reloj: 266 MHz;
Ancho de banda: 2100 MB/s;
Volumen: 1 módulo de 256 MB;
ECC soporte: sí;
Un-Buffered Memoria (Registrarse): Sí;
Soporte De Bajo Perfil (Perfil Bajo): Sí;
 
 
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR
  • el volumen del módulo 1 GB
  • factor de forma DIMM 184-pin
  • frecuencia de 400 MHz
  • Latencia CAS (CL): 3
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR
  • el módulo de la capacidad de 256 MB
  • factor de forma DIMM 184-pin
  • frecuencia de 400 MHz
  • Latencia CAS (CL): 3
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR3
  • el volumen de módulo de 4 GB
  • factor de forma DIMM 240-pin
  • la frecuencia de 1066 MHz
  • Latencia CAS (CL): 7
 
 

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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR
  • el volumen del módulo 512 MB
  • factor de forma DIMM
  • frecuencia de 333 MHz
  • ECC soporte
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR
  • el volumen del módulo 512 MB
  • factor de forma DIMM
  • frecuencia de 400 MHz
  • ECC soporte
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria SDRAM
  • el volumen del módulo 512 MB
  • factor de forma DIMM 168-pin
  • la frecuencia de 133 MHz
  • ECC soporte
 
 
 
 
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