Samsung
Memoria de acceso aleatorio
Samsung DDR3L 1333 ECC SO-DIMM 4Gb
Opiniones de clientes
|
Samsung DDR3L 1333 ECC SO-DIMM 4Gb
Valoración: 0
Cantidad de votos: 0
|
|
|
Build quality
Valor por su dinero
Facilidad de uso
|
|
Especificaciones técnicas y Ficha tecnica
Características generales Tipo de memoria: DDR3L; Factor de forma: SODIMM de 204 patillas; Frecuencia de reloj: 1333 MHz; Ancho de banda: 10600 MB/s; Volumen: 1 módulo de 4 GB; ECC soporte: sí; Un-Buffered Memoria (Registrarse): no; Soporte de bajo Perfil (Perfil Bajo): no; Tiempos Latencia CAS (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Fila Retardo de Precarga (tRP): 9; Además El número de fichas de cada módulo: 18, de dos vías de embalaje; Tensión de alimentación: 1.35;
|
|
Fotografía de producto
Samsung DDR3L 1333 ECC SO-DIMM 4Gb fotos
Más imágenes
|
|
|
Popular hoy
| | Especificaciones breves - 1 módulo de memoria DDR
- el volumen del módulo 1 GB
- factor de forma DIMM 184-pin
- frecuencia de 400 MHz
- Latencia CAS (CL): 3
|
| | Especificaciones breves - 1 módulo de memoria DDR
- el módulo de la capacidad de 256 MB
- factor de forma DIMM 184-pin
- frecuencia de 400 MHz
- Latencia CAS (CL): 3
|
| | Especificaciones breves - 1 módulo de memoria DDR3
- el volumen de módulo de 4 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- la frecuencia de 1066 MHz
- Latencia CAS (CL): 7
|
Similar Memoria de acceso aleatorio
|
|
Especificaciones breves
- 1 módulo de memoria DDR3L
- el volumen de módulo de 4 GB
- factor de forma SODIMM, 204-pin
- la frecuencia de 1333 MHz
- Latencia CAS (CL): 9
|
|
|
Especificaciones breves
- 1 módulo de memoria DDR3L
- el volumen de módulo de 2 GB
- factor de forma SODIMM, 204-pin
- la frecuencia de 1333 MHz
- Latencia CAS (CL): 9
|
|
|
Especificaciones breves
- 1 módulo de memoria DDR3L
- el volumen de módulo de 8 GB
- factor de forma SODIMM, 204-pin
- la frecuencia de 1333 MHz
- Latencia CAS (CL): 9
|
|