Samsung
Memoria de acceso aleatorio
Samsung DDR3 1866 DIMM 4Gb
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Samsung DDR3 1866 DIMM 4Gb
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Build quality
Valor por su dinero
Facilidad de uso
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Ficha tecnica y Especificaciones
Características generales
Tipo de memoria: DDR3;
Factor de forma: DIMM 240-pin;
Frecuencia de reloj: 1866 MHz;
Volumen: 1 módulo de 4 GB;
ECC soporte: no;
Un-Buffered Memoria (Registrarse): no;
Soporte de bajo Perfil (Perfil Bajo): no;
Tiempos
Latencia CAS (CL): 13;
RAS to CAS Delay (tRCD): 13;
Fila Retardo de Precarga (tRP): 13;
Además
Voltaje de alimentación: 1.5;
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Fotografía de producto
Samsung DDR3 1866 DIMM 4Gb fotos
Más imágenes
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