Samsung
Memoria de acceso aleatorio

Samsung DDR3 1066 DIMM 4Gb

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Samsung DDR3 1066 DIMM 4Gb Valoración: 0
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Build quality
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Facilidad de uso

Caracteristicas y Especificaciones técnicas

Características generales
Tipo de memoria: DDR3;
Factor de forma: DIMM 240-pin;
Frecuencia de reloj: 1066 MHz;
Ancho de banda: 8500 MB/s;
Volumen: 1 módulo de 4 GB;
ECC soporte: no;
Un-Buffered Memoria (Registrarse): no;
Soporte de bajo Perfil (Perfil Bajo): no;
Tiempos
Latencia CAS (CL): 7;
RAS to CAS Delay (tRCD): 7;
Fila Retardo de Precarga (tRP): 7;
Además
El número de fichas de cada módulo: 16, de dos vías de embalaje;
Voltaje de alimentación: 1.5;
El número de filas: 2;
 
 
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR
  • el volumen del módulo 1 GB
  • factor de forma DIMM 184-pin
  • frecuencia de 400 MHz
  • Latencia CAS (CL): 3
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR
  • el módulo de la capacidad de 256 MB
  • factor de forma DIMM 184-pin
  • frecuencia de 400 MHz
  • Latencia CAS (CL): 3
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR3
  • el volumen de módulo de 4 GB
  • factor de forma DIMM 240-pin
  • la frecuencia de 1066 MHz
  • Latencia CAS (CL): 7
 
 

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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR3
  • el volumen de módulo de 8 GB
  • factor de forma DIMM 240-pin
  • la frecuencia de 1066 MHz
  • Latencia CAS (CL): 7
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR3
  • el volumen de módulo de 4 GB
  • factor de forma DIMM 240-pin
  • la frecuencia de 1066 MHz
  • ECC soporte
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR3
  • el volumen de módulo de 2 GB
  • factor de forma SODIMM, 204-pin
  • la frecuencia de 1066 MHz
  • Latencia CAS (CL): 7
 
 
 
 
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