Samsung
Memoria de acceso aleatorio

Samsung DDR3 1066 2Gb ECC DIMMs

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Facilidad de uso

Caracteristicas y Ficha tecnica

Características generales
Tipo de memoria: DDR3;
Factor de forma: DIMM 240-pin;
Frecuencia de reloj: 1066 MHz;
Ancho de banda: 8500 MB/s;
Volumen: 1 módulo de 2 GB;
ECC soporte: sí;
Un-Buffered Memoria (Registrarse): no;
Soporte de bajo Perfil (Perfil Bajo): no;
Tiempos
Latencia CAS (CL): 7;
RAS to CAS Delay (tRCD): 7;
Fila Retardo de Precarga (tRP): 7;
Además
Voltaje de alimentación: 1.5;
 
 
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR
  • el volumen del módulo 1 GB
  • factor de forma DIMM 184-pin
  • frecuencia de 400 MHz
  • Latencia CAS (CL): 3
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR
  • el módulo de la capacidad de 256 MB
  • factor de forma DIMM 184-pin
  • frecuencia de 400 MHz
  • Latencia CAS (CL): 3
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR3
  • el volumen de módulo de 4 GB
  • factor de forma DIMM 240-pin
  • la frecuencia de 1066 MHz
  • Latencia CAS (CL): 7
 
 

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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR3
  • el volumen de módulo de 8 GB
  • factor de forma DIMM 240-pin
  • la frecuencia de 1066 MHz
  • ECC soporte
  • Latencia CAS (CL): 7
 
 
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Especificaciones breves
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