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Memoria de acceso aleatorio

PNY Verto Dimm DDR2 800MHz kit 1GB (2x512MB)

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PNY Verto Dimm DDR2 800MHz kit 1GB (2x512MB) Valoración: 0
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Facilidad de uso

Especificaciones técnicas y Ficha tecnica

Características generales
Tipo de memoria: DDR2;
Factor de forma: DIMM 240-pin;
Frecuencia de reloj: 800 MHz;
Ancho de banda: 6400 MB/s;
Volumen: 2 x 512 MB;
ECC soporte: no;
Un-Buffered Memoria (Registrarse): no;
Soporte de bajo Perfil (Perfil Bajo): no;
Tiempos
Latencia CAS (CL): 4;
RAS to CAS Delay (tRCD): 3;
Fila Retardo de Precarga (tRP): 3;
Activar para Retardo de Precarga (tRAS): 8;
Además
Tensión de alimentación: 2.1;
Radiador: sí;
 
 
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR
  • el volumen del módulo 1 GB
  • factor de forma DIMM 184-pin
  • frecuencia de 400 MHz
  • Latencia CAS (CL): 3
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR
  • el módulo de la capacidad de 256 MB
  • factor de forma DIMM 184-pin
  • frecuencia de 400 MHz
  • Latencia CAS (CL): 3
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR3
  • el volumen de módulo de 4 GB
  • factor de forma DIMM 240-pin
  • la frecuencia de 1066 MHz
  • Latencia CAS (CL): 7
 
 

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Especificaciones breves
  • 2 módulo de memoria DDR2
  • el volumen del módulo 512 MB
  • factor de forma DIMM 240-pin
  • frecuencia de 533 MHz
  • radiador de refrigeración adicional
  • Latencia CAS (CL): 3
 
 
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Especificaciones breves
  • 2 módulo de memoria DDR2
  • el volumen del módulo 512 MB
  • factor de forma DIMM 240-pin
  • frecuencia de 667 MHz
  • radiador de refrigeración adicional
  • Latencia CAS (CL): 3
 
 
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  • Latencia CAS (CL): 4
 
 
 
 
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