PNY Memoria de acceso aleatorio
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- 2 módulo de memoria DDR
- el volumen del módulo 512 MB
- factor de forma DIMM 184-pin
- la frecuencia de 550 MHz
- radiador de refrigeración adicional
- Latencia CAS (CL): 2.5
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- 2 módulo de memoria DDR
- el volumen del módulo 512 MB
- factor de forma DIMM 184-pin
- la frecuencia de 600 MHz
- radiador de refrigeración adicional
- Latencia CAS (CL): 2.5
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- 1 módulo de memoria DDR
- el volumen del módulo 512 MB
- factor de forma DIMM 184-pin
- frecuencia de 400 MHz
- Latencia CAS (CL): 3
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- 1 módulo de memoria DDR2
- el volumen del módulo 1 GB
- factor de forma SODIMM, 200-pin
- frecuencia de 800 MHz
- Latencia CAS (CL): 5
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- 2 módulo de memoria DDR2
- el volumen del módulo 512 MB
- factor de forma DIMM 240-pin
- frecuencia de 667 MHz
- radiador de refrigeración adicional
- Latencia CAS (CL): 5
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- 2 módulo de memoria DDR2
- el volumen del módulo 1 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- frecuencia de 667 MHz
- radiador de refrigeración adicional
- Latencia CAS (CL): 5
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- 2 módulo de memoria DDR2
- el volumen del módulo 1 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- frecuencia de 800 MHz
- radiador de refrigeración adicional
- Latencia CAS (CL): 5
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- 2 módulo de memoria DDR2
- el volumen de módulo de 2 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- frecuencia de 667 MHz
- radiador de refrigeración adicional
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- 2 módulo de memoria DDR2
- el volumen de módulo de 2 GB
- factor de forma SODIMM, 200-pin
- frecuencia de 667 MHz
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- 1 módulo de memoria DDR2
- el volumen de módulo de 2 GB
- factor de forma SODIMM, 200-pin
- frecuencia de 667 MHz
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- 1 módulo de memoria DDR2
- el volumen del módulo 512 MB
- factor de forma SODIMM, 200-pin
- frecuencia de 800 MHz
- Latencia CAS (CL): 5
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- 1 módulo de memoria DDR2
- el módulo de la capacidad de 256 MB
- factor de forma SODIMM, 200-pin
- frecuencia de 533 MHz
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