Hynix Memoria de acceso aleatorio
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- 1 módulo de memoria DDR3
- el volumen de módulo de 2 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- frecuencia de 2133 MHz
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- 1 módulo de memoria DDR3
- el volumen de módulo de 4 GB
- factor de forma SODIMM, 204-pin
- frecuencia de 1866 MHz
- Latencia CAS (CL): 13
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- 1 módulo de memoria DDR3
- el volumen de módulo de 2 GB
- factor de forma SODIMM, 204-pin
- frecuencia de 1866 MHz
- Latencia CAS (CL): 13
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- 1 módulo de memoria DDR3
- el volumen de módulo de 8 GB
- factor de forma SODIMM, 204-pin
- frecuencia de 1866 MHz
- Latencia CAS (CL): 13
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- 1 módulo de memoria DDR3L
- el volumen de módulo de 4 GB
- factor de forma SODIMM, 204-pin
- frecuencia de 1866 MHz
- Latencia CAS (CL): 13
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- 1 módulo de memoria DDR3L
- el volumen de módulo de 2 GB
- factor de forma SODIMM, 204-pin
- frecuencia de 1866 MHz
- Latencia CAS (CL): 13
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- 1 módulo de memoria DDR3L
- el volumen del módulo 1 GB
- factor de forma SODIMM, 204-pin
- frecuencia de 1600 MHz
- Latencia CAS (CL): 11
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- 1 módulo de memoria DDR3L
- el volumen de módulo de 2 GB
- factor de forma SODIMM, 204-pin
- frecuencia de 1600 MHz
- Latencia CAS (CL): 11
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- 1 módulo de memoria DDR3L
- el volumen de módulo de 4 GB
- factor de forma SODIMM, 204-pin
- frecuencia de 1600 MHz
- Latencia CAS (CL): 11
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- 1 módulo de memoria DDR3L
- el volumen de módulo de 8 GB
- factor de forma SODIMM, 204-pin
- frecuencia de 1600 MHz
- Latencia CAS (CL): 11
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- 1 módulo de memoria DDR3L
- el volumen del módulo 1 GB
- factor de forma SODIMM, 204-pin
- la frecuencia de 1333 MHz
- Latencia CAS (CL): 9
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- 1 módulo de memoria DDR3L
- el volumen de módulo de 2 GB
- factor de forma SODIMM, 204-pin
- la frecuencia de 1333 MHz
- Latencia CAS (CL): 9
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