G.SKILL
Memoria de acceso aleatorio
G.SKILL F2-5400PHU1-1GBMB
Opiniones de clientes
|
G.SKILL F2-5400PHU1-1GBMB
Valoración: 0
Cantidad de votos: 0
|
|
|
Build quality
Valor por su dinero
Facilidad de uso
|
|
Ficha tecnica y Especificaciones
Características generales Tipo de memoria: DDR2; Factor de forma: SODIMM de 200-pin; Frecuencia de reloj: 667 MHz; Volumen: 1 módulo de 1 GB; ECC soporte: no; Un-Buffered Memoria (Registrarse): no; Soporte de bajo Perfil (Perfil Bajo): no; Tiempos Latencia CAS (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Fila Retardo de Precarga (tRP): 5; Activar para Retardo de Precarga (tRAS): 15; Además Voltaje de alimentación: 1.8; Compatibilidad: Apple;
|
|
Fotografía de producto
G.SKILL F2-5400PHU1-1GBMB fotos
Más imágenes
|
|
|
Popular hoy
| | Especificaciones breves - 1 módulo de memoria DDR
- el volumen del módulo 1 GB
- factor de forma DIMM 184-pin
- frecuencia de 400 MHz
- Latencia CAS (CL): 3
|
| | Especificaciones breves - 1 módulo de memoria DDR
- el módulo de la capacidad de 256 MB
- factor de forma DIMM 184-pin
- frecuencia de 400 MHz
- Latencia CAS (CL): 3
|
| | Especificaciones breves - 1 módulo de memoria DDR3
- el volumen de módulo de 4 GB
- factor de forma DIMM 240-pin
- la frecuencia de 1066 MHz
- Latencia CAS (CL): 7
|
Similar Memoria de acceso aleatorio
|
|
Especificaciones breves
- 1 módulo de memoria DDR2
- el volumen del módulo 1 GB
- factor de forma SODIMM, 200-pin
- frecuencia de 667 MHz
- Latencia CAS (CL): 5
|
|
|
Especificaciones breves
- 1 módulo de memoria DDR2
- el volumen del módulo 512 MB
- factor de forma SODIMM, 200-pin
- frecuencia de 667 MHz
- Latencia CAS (CL): 5
|
|
|
Especificaciones breves
- 1 módulo de memoria DDR2
- el volumen del módulo 1 GB
- factor de forma SODIMM, 200-pin
- frecuencia de 667 MHz
- Latencia CAS (CL): 5
|
|