Corsair
Memoria de acceso aleatorio

Corsair TWINX512-3200C2

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Corsair TWINX512-3200C2 Valoración: 0
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Build quality
Valor por su dinero
Facilidad de uso

Caracteristicas y Ficha tecnica

Características generales
Tipo de memoria: DDR;
Factor de forma: DIMM 184-pin;
Frecuencia de reloj: 400 MHz;
Ancho de banda: 3200 MB/s;
Volumen: 2 x 256 MB;
ECC soporte: no;
Un-Buffered Memoria (Registrarse): no;
Soporte de bajo Perfil (Perfil Bajo): no;
Tiempos
Latencia CAS (CL): 2;
RAS to CAS Delay (tRCD): 3;
Fila Retardo de Precarga (tRP): 3;
Activar para Retardo de Precarga (tRAS): 6;
Además
Radiador: sí;
 
 
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR
  • el volumen del módulo 1 GB
  • factor de forma DIMM 184-pin
  • frecuencia de 400 MHz
  • Latencia CAS (CL): 3
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR
  • el módulo de la capacidad de 256 MB
  • factor de forma DIMM 184-pin
  • frecuencia de 400 MHz
  • Latencia CAS (CL): 3
 
 
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Especificaciones breves
  • 1 módulo de memoria DDR3
  • el volumen de módulo de 4 GB
  • factor de forma DIMM 240-pin
  • la frecuencia de 1066 MHz
  • Latencia CAS (CL): 7
 
 

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Especificaciones breves
  • 2 módulo de memoria DDR
  • el módulo de la capacidad de 256 MB
  • factor de forma DIMM 184-pin
  • radiador de refrigeración adicional
  • Latencia CAS (CL): 3
 
 
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Especificaciones breves
  • 2 módulo de memoria DDR
  • el módulo de la capacidad de 256 MB
  • factor de forma DIMM 184-pin
  • frecuencia de 400 MHz
  • radiador de refrigeración adicional
  • Latencia CAS (CL): 3
 
 
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  • 2 módulo de memoria DDR
  • el volumen del módulo 1 GB
  • factor de forma DIMM 184-pin
  • frecuencia de 400 MHz
  • radiador de refrigeración adicional
  • Latencia CAS (CL): 2
 
 
 
 
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